韓業者成功供應OSAT濺鍍設備與噴霧式技術互別苗頭
- 刊登日期：2017/11/14
- 資料來源：DIGITIMES
CNI Technology陸續對全球外包半導體封測廠(OSAT)供應次世代濺鍍技術的電磁干擾(Electro Magnetic Interference；EMI)遮蔽設備。CNI Technology提升設備性能並降低價格的策略奏效。南韓率先商用化濺鍍EMI遮蔽設備的CNI Technology，憑藉更進化的解決方案，與採用噴霧技術的EMI遮蔽設備商展開激烈的技術競爭。
據南韓ET News報導，CNI Technology對美國一無線射頻晶片製造商供應第3代EMI遮蔽濺鍍設備。同時，CNI Technology也與南韓晶片製造商、新大陸客戶等進行供貨協商。受到供貨訂單推動，2017年營收可望攀升到300億韓元(約2,649萬美元)。若達到期望值，營收與2016年相比將翻倍成長。CNI Technology的EMI遮蔽濺鍍設備佔營收比重將提高到約50%。
CNI Technology的第3代EMI遮蔽濺鍍設備除平面網格陣列(Land Grid Array；LGA)封裝外，球柵陣列封裝(Ball Grid Array；BGA)封裝的EMI遮蔽也達到同等的性能。實際裝載在印刷電路板(PCB)時，下方空間不會產生間隙，遮蔽方面相對表現優越。然BGA方式下方空隙較多，較難完全遮蔽。
CNI Technology代表金昌秀(音譯)表示，大幅改善雷射切割加工處理技術，使BGA封裝的EMI遮蔽也能表現優越，且成本較低。可壓縮設備整頓時間，設備價格也較一代降低約30%。金昌秀並未具體描述技術，然提及是將封裝好的晶片上下搬運進行濺鍍的過程中，引進了不需雷射切割的新技術。因不需要雷射切割設備，可降低製程成本且速度更快。
EMI遮蔽是為了避免晶片間發生干擾現象及因此出現異常驅動的情況所做的對策。蘋果(Apple)等主要智慧型手機製造商對晶片製造商、NAND Flash生產業者要求追加EMI遮蔽製程。 濺鍍技術是在遮蔽材料上加諸強大的物理力量，在封裝表面均勻蒸鍍薄膜。然南韓記憶體業者決定引進噴霧技術的遮蔽製程，而非濺鍍技術，並致力於研發生產製程及材料。惟在材料研發上吃盡苦頭。 金昌秀表示，濺鍍比起噴霧在厚度、密度、接觸電阻、薄膜密封性等品質方面表現都較為優秀。南韓業界也認為在年度營運成本上，採用濺鍍技術會比噴霧技術較有利。有可能會轉向採用濺鍍技術。CNI Technology除濺鍍設備外，也供應濺鍍遮蔽目標材料等消耗性零組件，營收可望穩定攀升。