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半導體設備

矽Si 碳化矽SiC氮化鎵GaN GaAs砷化鎵 基板 & 磊晶缺陷檢測

(Phys)
  • 產品型號:NIR-PLuS
  • 刊登日期:2020/3/6
  • 聯絡專員信箱:sw@sellingware.com.tw

PL量測是一種非接觸、非破壞性量測,利用PL可以檢測一般AOI設備所檢測不到的Bulk內部缺陷 & 雜質。相較於一般電性量測缺陷,PL 優點是速度快、解析度高,Bare wafer及Epi後均可檢測。

WPH: 300mm wafer map below 10 mints.

 

Defects types: Impurity, dislocation, pinhole, micro-crack, heavy doping.

Si Slip Dislocation

GaN缺陷檢測

GaAs PL defect map

 

Si晶片生長缺陷

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