半導體設備
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矽Si 碳化矽SiC氮化鎵GaN GaAs砷化鎵 基板 & 磊晶缺陷檢測
(Phys)- 產品型號:NIR-PLuS
- 刊登日期:2023/7/25
- 聯絡專員信箱:sw@sellingware.com.tw
PL量測是一種非接觸、非破壞性量測,利用PL可以檢測一般AOI設備所檢測不到的Bulk內部缺陷 & 雜質。相較於一般電性量測缺陷,PL 優點是速度快、解析度高,Bare wafer及Epi後均可檢測。
WPH: 300mm wafer map below 10 mints.
Defects types: Impurity, dislocation, pinhole, micro-crack, heavy doping.
Si Slip Dislocation
GaN缺陷檢測

GaAs PL defect map
Si晶片生長缺陷
SiC map before KOH
Si growth impurity / Slips