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Phys半導體設備

矽Si 碳化矽SiC氮化鎵GaN GaAs砷化鎵 基板 & 磊晶缺陷檢測

型號: NIR-PLuS

矽Si 碳化矽SiC氮化鎵GaN GaAs砷化鎵 基板 & 磊晶缺陷檢測

產品資訊

產品名稱矽Si 碳化矽SiC氮化鎵GaN GaAs砷化鎵 基板 & 磊晶缺陷檢測
代理廠牌Phys
產品型號NIR-PLuS
聯絡專員sw@sellingware.com.tw
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產品詳細說明

PL量測是一種非接觸、非破壞性量測,利用PL可以檢測一般AOI設備所檢測不到的Bulk內部缺陷 & 雜質。相較於一般電性量測缺陷,PL 優點是速度快、解析度高,Bare wafer及Epi後均可檢測。

WPH: 300mm wafer map below 10 mints.

 

Defects types: Impurity, dislocation, pinhole, micro-crack, heavy doping.

Si Slip Dislocation

GaN缺陷檢測

GaAs PL defect map

Si晶片生長缺陷

SiC map before KOH

 

 

Si growth impurity / Slips