半导体设备
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硅Si 碳化硅SiC氮化镓GaN GaAs砷化镓 基板 & 磊晶缺陷检测
(Phys)- 产品型号:NIR-PLuS
- 刊登日期:2023/7/25
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PL量测是一种非接触、非破坏性量测,利用PL可以检测一般AOI设备所检测不到的Bulk内部缺陷 & 杂质。相较于一般电性量测缺陷,PL 优点是速度快、分辨率高,Bare wafer及Epi后均可检测。
WPH: 300mm wafer map below 10 mints.
Defects types: Impurity, dislocation, pinhole, micro-crack, heavy doping.
Si Slip Dislocation
GaN缺陷檢測

GaAs PL defect map
Si晶片生長缺陷
SiC map before KOH
Si growth impurity / Slips