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半导体设备

硅Si 碳化硅SiC氮化镓GaN GaAs砷化镓 基板 & 磊晶缺陷检测

(Phys)
  • 产品型号:NIR-PLuS
  • 刊登日期:2023/7/25
  • 联络专员信箱:sw@sellingware.com.tw

 PL量测是一种非接触、非破坏性量测,利用PL可以检测一般AOI设备所检测不到的Bulk内部缺陷 & 杂质。相较于一般电性量测缺陷,PL 优点是速度快、分辨率高,Bare wafer及Epi后均可检测。

WPH: 300mm wafer map below 10 mints.

Defects types: Impurity, dislocation, pinhole, micro-crack, heavy doping.

Si Slip Dislocation

GaN缺陷檢測

GaAs PL defect map

Si晶片生長缺陷

SiC map before KOH

 

 

Si growth impurity / Slips 

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